复杂环境下砖砌烟囱的爆破拆除

本文介绍了采用定向爆破拆除一座砖砌烟囱的施工设计方法,包括爆破方案选择、爆破切口设计和爆破安全验算等内容,对类似工程有一定的参考意义。     

秦山核电厂安全壳对主蒸汽管道破裂事故的响应

一、概述核电厂安全壳是防止事故后放射性物质大量释放到坏境的最后一道屏障,是保护公众免受超剂量放射性照射的关键设施。人们对安全壳的重要性虽已认识有年,但得到明显事实验证的却是近年发生的美国三哩岛事故和苏联切尔诺贝利灾害性核事故。由表1可知,安全壳的有无对公众的影响是截然不同的。     

用于二维非线性静磁场计算的微型计算机程序TRIM／PC

一、引言TRIM是一个相当成熟的解二维非线性静磁问题的计算程序,它在束流光学系统设计中起着越来越重要的作用。最原始的TRIM程序是A.M.Winslow(Lawrence Radi-ation Laboratory,Livermore,California)编写的,后来又经多次修改扩充,并能运行在CDC-6600,IBM-360等中型计算机上。近年来,微型计算机的应用有了很大的发展,IBM-PC/XT或其兼容机在国内已相当普及。在微型机上运行应用软件会更有利于软件的     

一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法

亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.     

LPCVD淀积速率分布的解析表达式

通过引入轴向反应源转化率η(x)和径向反应源转化率η_f(ρ),分别导得了淀积速率在卧式反应器中沿轴向及径向分布的解析表达式.从中可以清楚地看出反应器几何参数以及工艺参数对淀积速率分布的影响.将其用于对多晶硅淀积的模拟,与实验结果相符很好.     

在国际大循环中开拓包装工业

本文探讨在国际经济大循环中,我国开拓发展包装工业的有利条件,参加循环的形式及应该注意的一些问题。国际经济大循环是指在世界经济整体中,各国经济互相独立,相互依存,利用国     

The Calculation of Thermodynamic Properties of Ga-Sb Binary Liquid Alloys

In this paper, the activities of componentsof Ga-Sb system have been calculated from itsphase diagram by using computer program CABPD(calculating activities from binary phasediagrams) presented by us in previous paper.The excess free energy of liquid solution canbe expressed as:ΔG_m=X_(Ga)X_(Sb)(4392+17022X_(Sb)-15138X_(Sb)) J/mol In order to verify the reliability ofcalculated results, a discriminant has beenproposed.     

激光结晶a-Si:H SOI离子注入和快速退火

本文对激光结晶a-Si∶H SOI结构砷注入和快速退火行为作了研究.a-Si∶H激光结晶有Lp-LCR,OD,FCR-2,FCR-1四个结晶区.用剖面电镜观察了结晶区的结构.扩展电阻测量表明Lp-LCR区中有两种扩散机制,即杂质在晶粒体内扩散和沿缺陷扩散.OD区中有三种扩散形式,除有上述两种以外,还有沿缺陷的扩散.首次比较了沿晶界和缺陷的扩散速度.     

In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析

本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规律性及改进工艺条件有一定参考价值.     

自支撑同位素钐靶的制备

一、引言联邦德国重离子研究所的物理实验需要~(154)Sm和~(144)Sm靶,具体要求是:(1)自支撑金属靶,(2)厚度范围为90—110 μg/cm~2,(3)靶厚测量误差为±10%,(4)靶的尺寸是φ15 mm,(5)靶的数量为4—5块。用滚轧法、电镀法和重离子溅射法制备这样薄的自支撑靶都十分困难,因此采用真空蒸发试制同位素钐靶。